Dildora Xaydarqulovna Tashpulatova-o’qituvchi
A.Qodiriy nomidagi Jizzax davlat pedagogika universiteti
dildora87@jspi.uz
Kalit so’zlari: Fotoo’tkazuvchanlik, ichki va tashqi fotoeffekt, yarim o’tkazgichlarda fotogalvanik effekt.
Annotatsiya
Metal –yarimo’tkazgichlarda p-n- fazoviy o’tishlarning optik hodisalarinining fizik xususiyatlarini tushuntirib berish.
Ключевые слова: фотопроводимость, внутренний и внешний фотоэффект, фотогальванический эффект в полупроводниках.
Аннотация
Объяснить физические свойства оптических явлений p-n пространственных переходов в металл-полупроводниках. Key words: Photoconductivity, internal and external photoeffekt, photogalvanik effect in semiconductors.
Abstract
To explain the physical properties of optical phenomena of p-n spatial transitions in metal-semiconductors.
Ma’lumki, bir yarimo’tkazgich namunasida elektron (n) o’tkazuvchanlikli va kovak (p) o’tkazuvchanlikli ikki soha hosil qilish mumkin. Elektronlar n-sohadan p-sohaga diffuziyalanib o’tib, asosan uning hajmida rekombinatsiyalanib ketadi, chegaraning n-soha tarafidagi tor qatlamda esa donor ionlaridan iborat musbat qo’zg’almas hajmiy zaryad qoladi. Kovaklar esa p-sohadan n-sohaga diffuziyalanib o’tib, asosan uning hajmida rekombinatsiyalanib ketadi. Chegaraning p-soha tarafidagi tor qatlamda esa akseptor ionlardan iborat manfiy qo’zg’almas hajmiy zaryad qoladi
p-n o’tish sohasi quyidagi asosiy xossalarga ega
- Termodinamik muvozanat sharoitida p-n o’tish sohasi hajmiy zaryad mavjud bo’lgan qatlamdir. Bu hajmiy zaryadni asosan donor va akseptor ionlar tashkel qiladi.
- p-n o’tishning hajmiy zaryadiga bog’liq bo’lgan va n-sohadan p-sohaga tomon yo’nalgan elektr maydon mavjud, u esa bu sohada potensial o’zgarishini taqozo qiladi, binobarin, p-n o’tishning chegaralari orasida potensiallar ayirmasi vujudga keladi.
- p-n o’tishning elektr maydoni elektronlarning n-sohadan p-soha tomon va kovaklarning p-sohadan n-soha tomonga o’tishiga to’sqinlik qiladi. Shuning uchun hozir aytilmagan ma’noda p-n o’tish potensial to’siq bo’lib uning balandligi p-n sohadagi potensiallar ayirmasiga teng.
- Yupqagina p-n o’tish qatlamidagi ichki elektr maydon EYUK xosil qilmaydi.
- p-n sohasida harakatchan zaryadlar –elektronlar va kovaklar juda kam miqdorda bo’ladi, binobarin, bu sohaning solishtirma qarshiligi juda ham katta (solishtirma o’tkazuvchanligi juda kichikdir).
Hajmiy zaryadlar paydo bo’lishi bilan birga chegaraviy qatlamdan n-sohadan p-sohaga yo’nalgan elektr maydoni va uning ta’sirida elektronlar va kovaklarning dreyf oqimlari vujudga keladi. Hajmiy zaryadli chegaraviy qatlamning shakllanishi to dreyf oqimlari deffuzion oqimlariga tenglashguncha davom etadi. p va n-sohalar chegarasida vujudga keladigan qatlamni p-n o’tish deyiladi.
Agar p-n-o’tishli yarim o’tkazgichni fotonning energiyasi ħω≥Eg bo’lgan kuchsiz yorug’lik bilan yoritilsa unda elektron-kovak juftlari vujudga keladi. Birinchi tartibda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining o’zgarishi hisobga olmasa ham, yoritishning ta’siri asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasini oshirishdan iborat bo’ladi.
1-rasm.Yoritilmagan (muvozanatdagi)
Agar p-n-o’tishni uning chegarasi bo’ylab yoritilsa u xolda namunadan o muvazanat xolatdagi zaryad tashuvchilar vujudga keladi. p-n-o’tish sohasidan diffusion uzunlik chamasidagi masofa vujudga kelgan elektron-kovak juftlari p-n-o’tish chegarasi tomonga diffuziyalanadi, uning maydoni esa juftlarni ajratadi, yani elektronlarni p-sohadan n-sohaga o’tkazadi kovaklarni esa n-sohadan p-sohaga o’tkazadi. p-n-o’tishdan diffusion uzunlik chamasidan nariroqda vujudga kelgan nomuvozanati elektronlar va kovaklar p-n-o’tishga yetib kelolmay rekombinatsiyalanib ketadilar.
2-rasm. Yoritilgan (nomuvazanatdagi)
Yorug’lik p-n-o’tish tekisligiga tiktushayotgan xolda agar p-n-o’tish yoritilayotgan sirtdan uncha ichkari bo’lmasa, uning ikkala tarafida ham elektron-kovak juftlari vujudga keladi.
3-rasm.Yoritilgan (nomuvazanatdagi)
4-rasm.Yupqa p-n-o’tishlifotoelementvafotodiodning volt-amperxarakteristikasi
Foydalanilgan adabiyotlar
- Удалов Н. С. Возобновляемые источники энергии. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2009. – 412 с. – С. 305-306.
2 . Ушаков, В. Я. Современная и перспективная энергетика. – Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2008. – 468 с. – С.324-328.
3 . Виссарионов В. Я. Колнечная энергия: учебное пособие для вузов. – М .: Издательский дом МЭИ, 2008. – 320 с. – С. 113-115.
- Toshpo’latova, D., & Isroilova, G. (2021). Об эвoлюции мaгнитнoгo
noToKa в cвepxпpoвoдникax BToporo poдa. физико-технологического
образование, (3).
5.Taylanov, N., Toshpulatova, D., O’rozov, A., & Narimanov, B. (2021).
Flux jumping in type-II superconductors. Физико-технологического
образование,
